射频信号铜基板

背面整面铜优异屏蔽散热

大面积连续接地铜箔，有效隔绝外部电磁干扰，降低射频辐射泄露；同时快速导出芯片发热，抑制温升带来阻抗漂移。

射频阻抗精密可控，高频性能稳定

介质选材 + 线宽线距制程双重管控，差分 / 单端阻抗公差严格，高频信号损耗小、相位一致性好，适合射频测试精密场景。

0.8mm 轻薄结构适配腔体装配

厚度适中刚性充足，可紧凑装入 TEM 测试腔体内部，结构装配便捷，不占用过多内部空间。

沉金工艺保障射频触点可靠性

焊盘抗氧化、抗硫化，长期反复插拔、湿热环境下接触电阻稳定，避免射频信号波动。

低损耗基材适配高频工况

专用低 Dk/Df 树脂体系，降低高频插入损耗与串扰，满足测试测量仪器高精度指标要求。

接地完整性优化射频性能

整面铜连续接地，回流路径短而完整，改善谐振、杂波干扰，提升射频整体稳定性。